华中科技大学郭新教授到访微纳电子学系
2019年6月25日，来自华中科技大学材料科学与工程学院郭新教授应邀来访微纳电子学系，并在微纳电子大厦205会议室做了题为《基于离子传导氧化物的忆阻型类脑器件和脑启发式人工智能》的学术报告。微纳电子学系多位老师以及研究生、本科生参加了报告会，并与报告人进行了热烈的讨论。
基于离子传导氧化物的忆阻型类脑器件和脑启发式人工智能
以AlphaGo为代表的人工智能须依托超级计算机强大的运算能力，对计算机的依赖限制了人工智能的应用范围，且现有的计算机无法突破摩尔定律的限制。为此，我们用忆阻器来直接模拟大脑的信息处理方式，这一类脑启发式的人工智能不需要借助于超级计算机。我们利用氧化物中的离子型缺陷（氧空位、质子）迁移开发易失性可调的忆阻器；通过对忆阻器的阻态数量和衰减时间常数的调控，这类忆阻器可以模拟生物突触的功能，也可以作为核心器件模拟神经元的功能，从而获得人工突触和人工神经元；进一步将人工突触和人工神经元联接成为人工神经网络，该神经网络可以处理时空信息，无需额外的存储单元就可实现移动物体的动态识别。这一研究是离子传导材料在人工智能领域的创新性应用，其成功实施将为脑启发式人工智能的发展提供重要的理论依据及科学指导。