北京大学微电子工艺实验室
实验室直属微电子学研究院，也是微米/纳米加工技术国家级重点实验室的工艺实验主体，是世界一流的大学微电子工艺平台。实验室的前身是北京大学半导体物理实验室，始建于1956年。经过1970年的北大电子仪器厂和1986年的老微电子楼两个重要发展期，经历了数次改造、扩建、重建和搬迁；第四代超净间现位于北大微纳电子大厦首层及地下一层，面积从第一代的几十平方米增加到目前国内高校最大的1500平方米。
实验室有各种仪器设备150多台套，价值超过一亿元；合理完整的综合配套和稳定重复的交叉污染控制能力，使实验室成为国际上为数不多、可同时开展MOS、硅基MEMS和集成化工艺技术研究的实验环境，领先国内外高校。实验室的主要工艺和检测设备包括：
团队主要成员：
主任1人、副主任3人、工艺工程师6人、设备工程师4人、实验员24人、综合服务3人、动力供应4人。
实验室团队由教授1、教授级高工2、高工5、工程师3、实验员、各种服务人员组成；学历覆盖博士到高职。职称和学历分布合理，责任分工明确，各司其职，保证工艺平台的世界一流技术服务能力。
工艺集成服务能力：
＜20nm MOSFET工艺、MEMS标准工艺（压阻工艺、牺牲层工艺、体硅键合深刻蚀释放、三种MEMS标准工艺与CMOS集成。
极限和特色工艺能力：
＜10纳米大高宽比硅结构制造、硅片刻蚀穿通、20nm金属梁结构制造、320×240全镂空IR FPA芯片等。
工艺展示：
键合深刻蚀释放
牺牲层释放工艺
压阻/CMOS集成工艺
实验室概览：
实验室入口
光刻间
刻蚀区
氧化扩散区
PVD注入区
划片间
测试区
DIY区