职称：讲师
研究所：微纳电子学研究院
研究领域：半导体器件可靠性
办公电话：86-10-62752579
电子邮件：xieb@pku.edu.cn
科研/教育经历
解冰，北京大学微电子学与固体电子学专业，博士学位。
主要研究方向
主要研究领域包括薄栅介质MOSFET结构的电学特性和可靠性；Si/SiO2界面物理；高场物理和击穿机制；MOS器件的退化机制以及Flash 存储器的可靠性等。
研究成果概况
参与编写了《电路基础实验》课程教材，并获校级教学成果一等奖。
主要参与的科研项目有国家科技重点实验室的合作项目“EEPROM超薄栅隧道氧化层(<10nm )可靠性评价模型研究”；国家973项目“微小尺度mos器件可靠性问题”的研究；与motorola公司的国际合作项目的研究工作“亚微米mosfets寿命预测模型的发展”；还有自然科学基金及电子预研项目等。