康晋锋，博士，教授
北京大学信息科学技术学院微纳电子系
地址：微纳电子大厦441，电话：62756745，电子邮件：kangjf@pku.edu.cn
教育理念：
一，“授之于鱼，不如授之于渔”。能力的培养远比知识积累重要的多；
二，知识体系的构造需要遵循“博采众长、互相借鉴、全面发展”的路线；
三，良好的学风、刻苦努力的坚持和团结协作的精神，比聪明更重要。
个人信息：
姓名：康晋锋
性别：男
单位：北京大学信息科学技术学院
职称：教授
地址：微纳电子大厦441
电子邮件：kangjf@pku.edu.cn
开设课程：本科生课程 半导体物理 半导体材料
研究生课程 微电子材料
个人简历：
康晋锋，北京大学信息学院教授，北京大学上海微电子研究院副院长。1984年毕业于大连工学院物理系获理学学士；分别于1992和1995年获在北京大学理学硕士和理学博士学位；1996年至1997年，在北京大学微电子所从事博士后研究工作；1997开始在北京大学微电子所任副教授，2001年8月开始任教授。2002年至2003年受邀以访问教授（Visiting Professor）身份在新加坡国立大学半导体纳米器件实验室（SNDL）从事合作研究一年。
研究领域涉及：新型存储器技术，新型高K /金属栅与CMOS集成技术，ULSI器件模型结构和可靠性技术，高温超导与介质材料薄膜技术及其应用等。在新型氧化物阻变存储器（RRAM）物理机制、模型模拟、器件优化设计方法学、高密度3D集成技术、神经元计算等方面，在新型纳米尺度电荷陷阱存储器（CTM）器件与模型模拟技术，在高K/金属栅器件结构与集成技术与CMOS器件可靠性机制与模型等方面取得系列研究成果。在本领域核心期刊如ACS Nano、Scientific Reports、Advanced Materials、Nano Lett.、IEEE EDL, IEEE Transaction on Electron Devices, Appl. Pyhs. Lett.等`，以及学术会议如VLSI、IEDM等发表论文240余篇，SCI他引累计1700余篇， 3篇论文为ESI高被引论文；先后受邀在IEDM、SSDM、MRS、ASP-DAC、ISCAS、ICSICT等系列国际学术会议以及AMAT、IBM、IMEC、ITRI等国际著名研发机构做特邀报告。已申请中国发明专利100余项、其中40余项获授权。申请国际发明专利10余项，5项已获授权。
作为课题负责人，先后主持完成了国家863计划重大专项课题、国家973项目课题、国家自然科学基金项目等科研项目。曾先后获得国家科技进步二等奖、教育部科技进步一等奖、北京市技术发明一等奖等奖励。
在国际合作方面，与美国Stanford大学、Yale大学、New York大学Albany分校、美国应用材料公司、SEMATCH、新加坡微电子所、欧洲微电子研究中心IMEC、巴塞罗那自由大学等都有广泛、深入的合作关系，合作取得了系列创新研究成果。
目前的研究领域包括：数据存储与信息获取器件集成技术；新型薄膜材料；新能源器件。
教育背景：
2001年-至今 北京大学信息科学技术学院教授，博士生导师
2002-2003年 新加坡国立大学 访问教授
1997-2001年 北京大学信息科学技术学院 副教授
1996-1997年 北京大学微电子所 博士后
1992-1995年 北京大学计算机系 博士
1989-1992年 北京大学计算机系 硕士
1980-1984年 大连工学院物理系 学士
研究方向：
数据存储与信息获取器件集成技术；新型薄膜材料；新能源器件。
主要研究领域：
（1） 新型阻变存储器及其集成
（2） 基于阻变器件的神经计算系统的实现与设计
（3） 新型光伏与传感器件
科研经历：
2000-2005年 973 项目课题“新型栅结构材料相关问题研究” ，课题负责人之一
2003-2005年 863 重大专项课题“0.09微米CMOS集成电路大生产工艺与可制造性”，课题组长
2005-2007年国家自然科学基金课题“高K/金属栅CMOS器件性能退化机理研究”，课题负责人
2006-2010年 973 项目课题“低功耗高可靠的新型非挥发性存储器件研究”，课题负责人之一
2009-2011年 国家重大专项课题“ RRAM关键工艺和技术”，北大子课题负责人
2010-2014年 973 项目课题“纳米尺度CTM存储电路设计及模型模拟研究”，课题负责人
2011-2015年 973 项目课题“新型存储器件及工艺基础研究”，北大子课题负责人
2014-2017年 国家自然基金重点课题“超高密度存储器三维集成关键技术研究”，北大负责人
获奖情况：
2004年 北京大学杨芙清王阳元院士优秀教学科研奖
2007年 教育部科学技术进步奖 一等奖
2007年 北京市科学技术奖 一等奖
2008年 国家科技进步奖 二等奖
2013年 北京大学优秀博士学位论文指导教师
科研成果：
课题组迄今已发表论文 300 余篇，SCI累计引用1900余次， 3篇论文入选ESI高引用论文，H因子为 22 ，多次受邀在IEDM、SSDM、MRS、ASP-DAC、ISCAS等国际学术会议以及AMAT、IBM、IMEC、ITRI等国际著名研发机构做特邀报告。申请国家发明专利100余项、其中授权专利41项；申请国际专利10项，5项已获授权。
代表性科技论文：
入选ESI高引用论文目录：（*通讯作者论文）
1. N. Xu , L.F. Liu, X. Sun, X.Y. Liu, D.D. Han, Y. Wang, R.Q. Han, J.F. Kang*, and B. Yu, “Characteristics and mechanism of conduction/set process in TiN/ZnO/Pt resistance switching random-access memories”, Appl. Phys. Lett., 92, p.232112, JUN 9 2008
2. B. Gao, B. Sun, H.W. Zhang, L.F. Liu, X.Y. Liu, R.Q. Han, J.F. Kang*, and B. Yu, “Unified Physical Model of Bipolar Oxide-Based Resistive Switching Memory”, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 30 (12): 1326-1328 DEC 2009
3. S. Yu, H.-Y. Chen, B. Gao, J. Kang, and H.-S. P. Wong, “HfOx-Based Vertical Resistive Switching Random Access Memory Suitable for Bit-Cost-Effective Three- Dimensional Cross-Point Architecture,” ACS Nano, vol. 7, pp. 2320-2325, Mar 2013.
近3年发表的高影响因子文章目录：（*通讯作者论文）
1. B. Gao, Y.J. Bi, H-Y. Chen, R. Liu, P. Huang, B. Chen, L.F. Liu, X.Y. Liu, S.M. Yu, H.-S. Philip Wong, J.F. Kang*, “Ultra-Low-Energy Three-Dimensional Oxide-Based Electronic Synapses for Implementation of Robust High-Accuracy Neuromorphic Computation Systems”, ACS NANO Vol.8(7), pp. 6998-7004, JUL 2014
2. B. Chen, X.P Wang, B. Gao, Z. Fang, J.F. Kang*, Lifeng Liu, X.Y. Liu, Guo-Qiang Lo and Dim-Lee Kwong, “Highly Compact (4F2) and Well Behaved Nano-Pillar Transistor Controlled Resistive Switching Cell for Neuromorphic System Application”, SCIENTIFIC REPORTS Vol.4, No.6863, OCT 31 2014
3. S. Yu, B. Gao, Z. Fang, H. Yu, J. Kang, and H. S. Wong, “A low energy oxide-based electronic synaptic device for neuromorphic visual systems with tolerance to device variation,” Adv Mater, vol. 25, pp. 1774-1779, Mar 25, 2013.
4. S. Yu, H.-Y. Chen, B. Gao, J. Kang, and H.-S. P. Wong, “HfOx-Based Vertical Resistive Switching Random Access Memory Suitable for Bit-Cost-Effective Three- Dimensional Cross-Point Architecture,” ACS NANO, vol. 7, pp. 2320-2325, Mar 2013.
5. H. Tian, H.-Y. Chen, B. Gao, S. Yu, J. Liang, Y. Yang, D. Xie, J. Kang, T.-L. Ren, Y. Zhang, and H. S. P. Wong, “Monitoring Oxygen Movement by Raman Spectroscopy of Resistive Random Access Memory with a Graphene-Inserted Electrode,” Nano Lett., vol. 13, pp. 651-657, FEB 2013.
IEDM、VLSI等国际旗舰会议论文目录：
1. H-Yu Chen, B. Gao, H.T. Li, R. Liu, P. Huang, Z. Chen, B. Chen, F.F. Zhang, L. Zhao, Z.Z. Jiang, L.F. Liu, X.Y. Liu, J.F. Kang*, S.M. Yu, Y. Nishi, H.-S. Philip Wong, “Towards High-Speed, Write-Disturb Tolerant 3D Vertical RRAM Arrays”, 2014 Symposium on VLSI technology (VLSI-T 2014), p.196
2. Y.X. Deng, H-Y. Chen, B. Gao, S. Yu, S-C. Wu, L. Zhao, B. Chen, Z. Jiang, T-H Hou, Y. Nishi, J.F. Kang*, and H.-S. Philip Wong, “Design and Optimization Methodology for 3D RRAM Arrays”, Tech. Dig of IEDM2013, p.629
3. P. Huang, B. Chen, Y.J. Wang, F. F. Zhang, L. Shen, R. Liu, L. Zeng, G. Du, X. Zhang, B. Gao, J.F. Kang*, X.Y. Liu, X.P. Wang, B.B. Weng, Y.Z. Tang, G.-Q. Lo, D.-L. Kwong, “Analytic Model of Endurance Degradation and Its Practical Applica-tions for Operation Scheme Optimization in Metal Oxide Based RRAM”, Tech. Dig of IEDM2013, p.597
4. P. Huang, X.Y. Liu*, W.H. Li, Y.X. Deng, B. Chen, Y. Lu, B. Gao, L. Zeng, K.L. Wei, G. Du, X. Zhang, and J.F. Kang*, “A Physical Based Analytic Model of RRAM Operation for Circuit Simulation”, Tech. Dig of IEDM2012, p.605
5. S. Yu, B. Gao, P. Huang, J.F. Kang*, and H.-S. Philip Wong*, “HfOx Based Vertical Resistive Random Access Memory for Cost-Effective 3D Cross-Point Architecture without Cell Selector”, Tech. Dig of IEDM2012, p.497
6. S. Yu, B. Gao, Z. Fang, H.Y. Yu, J.F. Kang, and H.-S. Philip Wong*, “A Neuromorphic Visual System Using RRAM Synaptic Devices with Sub-pJ Energy and Tolerance to Variability: Experimental Characterization and Large-Scale Modeling”, Tech. Dig of IEDM2012, p.239
7. H-Y. Chen, H. Tian, B. Gao, S. Yu, J. Liang, J.F. Kang, Y.G. Zhang, T-L. Ren, and H.-S. Philip Wong, “Electrode/Oxide Interface Engineering by Inserting Single-Layer Graphene: Application for HfOx–Based Resistive Random Access Memory”, Tech. Dig of IEDM2012, p.489
8. B. Gao, *J.F. Kang, Y.S. Chen, F.F. Zhang, B. Chen, P. Huang, L.F. Liu, X.Y. Liu, Y.Y. Wang, X.A. Tran, Z.R. Wang, H.Y. Yu, Albert Chin, “Oxide-Based RRAM: Unified Microscopic Principle for Unipolar and Bipolar Switching”, Tech. Dig of IEDM2011, p.417
9. B. Chen, Y. Lu , B. Gao, Y.H. Fu, F.F. Zhang, P. Huang, Y.S. Chen, L.F. Liu, X.Y. Liu, *J.F. Kang, Y.Y. Wang, Z. Fang, H.Y. Yu, X. Li, N. Singh, G. Q. Lo, D. L. Kwong, “Physical Mechanisms of Endurance Degradation in TMO-RRAM”, Tech. Dig of IEDM2011, p.283
10. X.A. Tran, B. Gao, J.F. Kang, X. Wu, L. Wu, Z. Fang, Z.R. Wang, K.L. Pey, X.P. Wang, Y.C. Yeo, A.Y. Du, B.Y. Nguyen, M.F. Li, H.Y. Yu, “Self-Rectifying and Forming-Free Unipolar HfOx Based High Performance RRAM Built by Fab-Avaialbe Materials", Tech. Dig of IEDM2011, p.713
11. X.A. Tran, B. Gao, J.F. Kang, L. Wu, Z.R. Wang, Z. Fang, K.L. Pey, Y.C. Yeo, A.Y. Du, B.Y. Nguyen, M.F. Li, and H.Y. Yu, “High Performance Unipolar AlOy/HfOx/Ni based RRAM Compatible with Si Diodes for 3D Application”, 2011 Symposium on VLSI technology (VLSI-T 2011), (Kyoto, Japan, June,14-16, 2011), p.44
12. B. Gao, H. W. Zhang, S.M. Yu, B. Sun, L. F. Liu, X.Y. Liu, Y. Wang, R.Q. Han, *J.F. Kang, B. Yu, Y.Y. Wang, Oxide-Based RRAM: Uniformity Improvement Using A New Material-Oriented Methodology. 2009 Symposium on VLSI technology, p.30
13. B. Gao, S. Yu, N. Xu, L.F. Liu, B. Sun, X.Y. Liu, R.Q. Han, J.F. Kang*, B. Yu, Y.Y. Wang, “Oxide-Based RRAM Switching Mechanism: A New Ion Transport Recombination Model”, Tech. Dig of IEDM2008, p.563
14. N. Xu, B. Gao, L.F. Liu, Bing Sun, X.Y. Liu, R.Q. Han, J.F. Kang*, and B. Yu, “A unified physical model of switching behavior in oxide-based RRAM”, 2008 Symposium on VLSI Technology (VLSI-T2008), p.100
重要国际会议邀请报告：
1. J.F. Kang, B. Gao, P. Huang, Z. Chen, Y.D. Zhao, C. Liu, H.T. Li, X.Y. Liu, “Oxie-based RRAM: Requirements and Challenges of Modeling and Simulation”, 2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM2015), December 7-9, 2015, Washington, DC, USA
2. J.F. Kang, B. Gao, Z. Chen, Y.D. Zhao, W.J. Ma, Z. Zhou, H.F. Ye, L.F. Liu, X.Y. Liu, “TMO-ReRAM based synaptic device for neuromorphic computing”, 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015), Sep. 27-30, 2015, Sapporo, Japan
3. J.F. Kang, B. Gao, Z. Chen, Y.D. Zhao, Z. Zhou, L.F. Liu, X.Y. Liu, S. Yu, H.-S. Philip Wong, “ReRAM based synaptic devices for ”, SPICE-Workshop on Bad Metal Behavior in Mott Systems, June 29-July 2, 2015, Schloß Waldthausen, Mainz, Germany
4. J.F. Kang, B. Gao, P. Huang, L.F. Liu, X.Y. Liu, S. Yu, H.Y. Yu, H.-S. Philip Wong, “RRAM based Synaptic Devices for Neuromorphic Visual Systems”, 2015 IEEE International Conference on Digital Signal Processing (DSP 2015), July 21-24, 2015, Singapore
5. J.F. Kang, B. Gao, P. Huang, Z. Chen, Y.D. Zhao, C. Liu, H.T. Li. F.F. Zhang, L.F. Liu, X.Y. Liu, “Design and Optimization of Transition Metal Oxide-based Resistive Switching Devices for Data Storage and Computing Systems”, 2015 MRS Spring Meeting, April 6-10, 2015, San Francisco, California, USA
6. J.F. Kang, H. T. Li, P. Huang, Z. Chen, B. Gao, X. Y. Liu, Z. Z. Jiang, and H.-S. P. Wong,“Modeling and Design Optimization of ReRAM”, ASP-DAC2015, January 19th - 22th, 2015, Makuhari, Japan
7. J. F. Kang, B. Gao, B. Chen, P. Huang, F. F. Zhang, X. Y. Liu, H.-Y. Chen, Z. Jiang, H.-S. P. Wong, and Shimeng Yu, Scaling and Operation Characteristics of HfOx based Vertical RRAM for 3D Cross- Point Architecture, 2014 IEEE International Symposium on Circuits and Systems(ISCAS2014) (June 1-5, 2014, Melbourne, Australian), p.417
8. J.F. Kang, B. Gao, Y.J. Bi, B. Chen, X.Y. Liu, S.M. Yu, H-Y. Chen, H.-S. Philip, Wong, “TMO-based Memoristive Devices and Aplication for Neuromorphic Systems”, CIMTEC 2014, June.16-19, Montecatini Terme, Italy
9. J.F. Kang, Bin Gao, Bing Chen, Peng Huang and Xiaoyan Liu, “Modeling of Transition Metal Oxide Based RRAM Devices”, in Extended Abstract of SSDM 2013, pp. 566-567, 2013
10. J. F. Kang, “Oxide-Based RRAM-Unified Physical Mechanism and Implementation for Cell Design Optimization”, 1st International Workshop on Resistive RAM, October 20th -21st, 2011, Leuven, Belgium
发明专利：
授权美国专利：
1. Jinfeng Kang, Feifei Zhang, Bin Gao, Bing Chen, Lifeng Liu, Resistive switching device capable of implementing multiary addition operation, 专利号：US,8,929,123，授权日：Jan 6,2015,
2. Jinfeng Kang, Bin Gao, Lifeng Liu,Xiaoyan Liu, Resistive random access memory and its fabrication method, 专利号： US,8,963,275，授权日：Feb. 24,2015
3. Jinfeng Kang, Bin Gao, Bing Chen, Feifei Zhang, Lifeng Liu, Xiaoyan Liu, Three layered neuron devices and neural network with reset voltage pulse, 专利号：US,8,924,321，授权日：Dec.30,2014
4. Xiaoyan Liu, Jiaqi Yang, Jinfeng Kang, Method of testing reliability of semiconductor device, 专利号：US,8,552,754, 授权日：Qct.8,2013
专著：
1. J.F. Kang, B. Gao, and B. Yu, “Metal-Oxide-Based Resistive-Switching Memory: Materials, Device Scaling, and Technology Design”, in NONVOLATILE MEMORIES Materials, Devices and Applications, Edited by Tseung-Yuen Tseng and Simon M. Sze, AMERICAN SCIENTIFIC PUBLISHERS, 2012
2. Jinfeng Kang, Yi Wang, and Min-hua Chi, “Green Memory Technology”, in Green Micro/Nano Electronics, Chief Editor Yangyuan Wang, Associate Editor Yuhua Cheng and Min-hua-Chi, Science Press, Beijing, 2013, Chapter 7
3. 康晋锋，王漪：绿色存储器，《绿色微纳电子学》 （王阳元 主编，科学出版社，2010），第6章。
桃李天下
至今，已培养毕业了30位硕士、博士和博士后。现在中科院物理所、微电子所、华为、IBM、三星、爱立信单位工作。
课题组学生主要获奖情况：
课题组的2名博士研究生（高滨，已毕业，2012；黄鹏，2014）由于其杰出的创新科研表现，先后获得了IEEE PhD Student Fellowship 奖（该奖项每年由国际IEEE EDS分会评选颁发给全球电子器件研究领域三名优秀的博士研究生，表彰其在博士生阶段所取得的创新科研成果）。
自2008年以来，指导本科生在IEDM，VLSI，IEEE Electron Device Letters等微电子器件领域旗舰会议和核心期刊上发表一作论文20余篇。在课题组参加科研工作的本科生先后有6人（许诺 2009；高滨2009；余诗孟 2010；张浩伟 2011；吕阳2013；邓叶欣2014）获得了IEEE EDS Masters Student Fellowship 奖（该奖项每年由国际IEEE EDS分会评选颁发给全球电子器件领域三名优秀的一年级研究生，表彰其在科研中（主要是本科阶段）所取得的创新工作成绩）。
课题组两位博士研究生（高滨 2013，陈冰2014）先后获北京大学优秀博士论文。陈沅沙（2012）、高滨（2014）两位博士后获北京大学优秀博士后。
毕业博士生
杨竞峰 2009届博士毕业生 就职于加拿大Apache Canada Ltd.公司
孙 兵 2010届博士毕业生 中科院微电子所副研究员
杨佳琦 2011届博士毕业生 就职于韩国三星公司
许洪华 2011届博士毕业生 就职于国家电网
刘飞 2013届博士毕业生 加拿大，McGill University，博士后
高滨 2013届博士毕业生 北京大学博士后
张飞飞 2014届博士毕业生 就职于爱立信
毕业硕士生
杜光伟，陆自清，王琰，张京华，杨红，萨宁，李惟芬，闫葆光，黄丽华
刘剑华，郭海丰，董金勇，傅徐植，刘福东，潘君艳，印海友，张天舒，陈冰
范志伟，王旭，傅亦晗，杨飞，刘冬，刘睿，林长海
在读博士生：
王一娇 2011级直博生，研究方向：半导体器件波动性。
陈 喆 2012级直博生，研究方向：阻变器件制备及表征。
赵钰迪 2013级直博生，研究方向：阻变器件模型与模拟。
柳 晨 2014级直博生，研究方向：新型微电子材料。
韩润泽2015级直博生，研究方向：阻变器件与系统
在读硕士生：
阮丝 2012级，王国辉2012级，卢雨2013级
师门文化
1）组内交流：
课题组内将根据研究工作和学生培养的需要，组织召开各种类型的组会，共同研讨、报告近期科研的新进展、新问题等。
课题组经常组织各种类型的体育、文娱活动，如打羽毛球，踢足球，旅游等活动。
在读学生与已毕业学生座谈交流
参加信科杯足球比赛
2）实验室对外的交流情况。
课题组长期以来重视对外学术交流。与美国斯坦福大学、Arizona 州立大学、 纽约州立大学Albany分校、耶鲁大学、新加坡南洋理工大学、西班牙巴塞罗那自由大学、意大利米兰理工等国际著名学府以及新加坡IME、比利时IMEC、美国SEMATECH、美国 AMAT等科研机构建立了广泛深入的合作研究与交流关系。课题组学生（研究生、本科生）经常有机会参加国际学术会议，与国内外同行交流经验。先后有5位博士生同学赴美、加、新及欧洲著名府交流访问。此外，实验室还先后接收了多位来自美国斯坦福大学、台湾新竹清华大学等外国学生来组内交流，共同参与相关课题研究。 深入的国际合作取得丰硕研究成果，在IEDM、ACS Nano等会议和期刊合作发表一批高水平论文。