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研究团队

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Tso-Ping Ma

n美国耶鲁大学教授
n美国工程院院士2003年),台湾中央研究院院士2012年),中科院外籍院士2009年),世界科学院院士2012年),IEEE会士1994年)
nMOS栅氧化层、高介电常数的栅介质(成为工业界标准工艺)领域做出了重要贡献
n1998年获IEEE Paul Rappaport奖,2005Pan Wen-Yuan奖,2005年获IEEE Andrew S. Grove2006SIA大学研究者奖,2008年获康涅狄格技术奖章
n与北京大学微纳电子学研究院王阳元院士共同成立了北京大学-耶鲁微纳电子合作研究中心;北京大学客座教授;联合发表多篇高水平研究论文